- Title
- Homoepitaxial laser diodes grown on conducting and insulating ZnSe substrates
- Creators - without role
- H Wenisch - Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteiner Strasse NW1, 28359 Bremen, GermanyM Fehrer - Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteiner Strasse NW1, 28359 Bremen, GermanyH Hartmann - Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteiner Strasse NW1, 28359 Bremen, GermanyM Klude - Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteiner Strasse NW1, 28359 Bremen, GermanyA Isemann - Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteiner Strasse NW1, 28359 Bremen, GermanyV Grossmann - Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteiner Strasse NW1, 28359 Bremen, GermanyH Heinke - Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteiner Strasse NW1, 28359 Bremen, GermanyK Ohkawa - Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteiner Strasse NW1, 28359 Bremen, GermanyD Hommel - Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteiner Strasse NW1, 28359 Bremen, GermanyM Prokesch - Institut für Kristallzüchtung, Rudower Chaussee 6, 12484 Berlin, GermanyU Rinas - Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteiner Strasse NW1, 28359 Bremen, Germany
- Publication Details
- Journal of crystal growth, Vol.201202, pp.933-937
- Conference
- Molecular beam epitaxy 1998
- Publisher
- Elsevier
- Identifiers
- 9942696408331
- Academic Unit
- King Abdullah University of Science & Technology
- Language
- English
- Resource Type
- Conference proceeding
Conference proceeding
Homoepitaxial laser diodes grown on conducting and insulating ZnSe substrates
Journal of crystal growth, Vol.201202, pp.933-937
Molecular beam epitaxy 1998
1999
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