Effect of spacer layer thickness on the optical properties of stacked InAs/InAlAs quantum wires grown on InP (001)

Journal article

Peer reviewed

B. Salem, G. Bremond, M. Hjiri, F. Hassen, H. Maaref, O. Marty, J. Brault and Michel Gendry

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, Vol.101(1-3), pp.259-261

01/08/2003

Abstract

Engineering Sciences

Micro and nanotechnologies

Microelectronics

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Title: Effect of spacer layer thickness on the optical properties of stacked InAs/InAlAs quantum wires grown on InP (001)
Creators - without role: B. Salem - Laboratoire de physique de la matière
G. Bremond - Laboratoire de physique de la matière
M. Hjiri - Laboratoire de Physique des Semiconducteurs et des Composants Electroniques
F. Hassen - Laboratoire de Physique des Semiconducteurs et des Composants Electroniques
H. Maaref - Laboratoire de Physique des Semiconducteurs et des Composants Electroniques
O. Marty - Laboratoire d'Electronique, Nanotechnologies, Capteurs
J. Brault - Laboratoire d'électronique, optoélectronique et microsystèmes
Michel Gendry - Laboratoire d'électronique, optoélectronique et microsystèmes
Publication Details: Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, Vol.101(1-3), pp.259-261
Publisher: Elsevier
Identifiers: 9935890408331
Academic Unit: King Abdulaziz University
Language: English
Resource Type: Journal article