- Title
- Electron transport properties of AlGaAs/GaAs heterostructure containing a d-doping in the quantum well
- Creators - without role
- S. Rekaya - Laboratoire de Physique des Semiconducteurs et des Composants Electroniques, Faculté des Sciences de Monastir, Avenue de l'environnement, Monastir 5000, TunisieL. Bouzaïene - Laboratoire de Physique des Semiconducteurs et des Composants Electroniques, Faculté des Sciences de Monastir, Avenue de l'environnement, Monastir 5000, TunisieL. Sfaxi - Laboratoire de Physique des Semiconducteurs et des Composants Electroniques, Faculté des Sciences de Monastir, Avenue de l'environnement, Monastir 5000, TunisieM. Hjiri - Laboratoire de Physique des Semiconducteurs et des Composants Electroniques, Faculté des Sciences de Monastir, Avenue de l'environnement, Monastir 5000, TunisieS. Contreras - Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Université Montpellier II, FranceJ. L. Robert - Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Université Montpellier II, FranceH. Maaref - Laboratoire de Physique des Semiconducteurs et des Composants Electroniques, Faculté des Sciences de Monastir, Avenue de l'environnement, Monastir 5000, Tunisie
- Publication Details
- Physica status solidi. A, Applications and materials science, Vol.202(4), pp.602-608
- Publisher
- WILEY-VCH Verlag
- Number of pages
- 7
- Identifiers
- 9936501308331
- Academic Unit
- King Abdulaziz University
- Language
- English
- Resource Type
- Journal article
Journal article
Electron transport properties of AlGaAs/GaAs heterostructure containing a d-doping in the quantum well
Physica status solidi. A, Applications and materials science, Vol.202(4), pp.602-608
03/2005
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