- Title
- Enhanced deposition rate of sputtered amorphous silicon with a helium and argon gas mixture
- Creators - without role
- M. S Aida - Laboratoire de Physique des Couches Minces et Interfaces, Unité de Recherche de Physique des Matériaux et Applications, Université de Constantine, Constantine 25000, AlgeriaN Attaf - Laboratoire de Physique des Couches Minces et Interfaces, Unité de Recherche de Physique des Matériaux et Applications, Université de Constantine, Constantine 25000, AlgeriaA Benzegouta - Laboratoire de Physique des Couches Minces et Interfaces, Unité de Recherche de Physique des Matériaux et Applications, Université de Constantine, Constantine 25000, AlgeriaL Hadjeris - Laboratoire de Physique des Couches Minces et Interfaces, Unité de Recherche de Physique des Matériaux et Applications, Université de Constantine, Constantine 25000, AlgeriaM Selmi - Laboratoire de Physique des Couches Minces et Interfaces, Unité de Recherche de Physique des Matériaux et Applications, Université de Constantine, Constantine 25000, AlgeriaO Abdelwahab - Laboratoire de Physique des Couches Minces et Interfaces, Unité de Recherche de Physique des Matériaux et Applications, Université de Constantine, Constantine 25000, Algeria
- Publication Details
- Philosophical magazine letters, Vol.76(2), pp.117-123
- Publisher
- Taylor & Francis
- Identifiers
- 9936682108331
- Academic Unit
- King Abdulaziz University
- Language
- English
- Resource Type
- Journal article
Journal article
Enhanced deposition rate of sputtered amorphous silicon with a helium and argon gas mixture
Philosophical magazine letters, Vol.76(2), pp.117-123
01/08/1997
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