- Title
- MOCVD of gallium nitride nanostructures using (N3)2Ga{(CH2)3NR2}, R = Me, Et, as a single molecule precursor: morphology control and materials characterization
- Creators - without role
- Jayaprakash Khanderi - Lehrstuhl für Anorganische Chemie-II, Organometallics & Materials Chemistry, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstrasse 150, 44780 Bochum, GermanyAndreas Wohlfart - Lehrstuhl für Anorganische Chemie-II, Organometallics & Materials Chemistry, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstrasse 150, 44780 Bochum, GermanyHarish Parala - Lehrstuhl für Anorganische Chemie-II, Organometallics & Materials Chemistry, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstrasse 150, 44780 Bochum, GermanyAnjana Devi - Lehrstuhl für Anorganische Chemie-II, Organometallics & Materials Chemistry, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstrasse 150, 44780 Bochum, GermanyJulia Hambrock - Lehrstuhl für Anorganische Chemie-II, Organometallics & Materials Chemistry, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstrasse 150, 44780 Bochum, GermanyAlexander Birkner - Lehrstuhl für Anorganische Chemie-II, Organometallics & Materials Chemistry, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstrasse 150, 44780 Bochum, GermanyRoland A Fischer - Lehrstuhl für Anorganische Chemie-II, Organometallics & Materials Chemistry, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstrasse 150, 44780 Bochum, Germany
- Publication Details
- Journal of materials chemistry, Vol.13(6), pp.1438-1446
- Publisher
- Royal Society of Chemistry
- Identifiers
- 9946006108331
- Academic Unit
- King Abdullah University of Science & Technology
- Language
- English
- Resource Type
- Journal article
Journal article
MOCVD of gallium nitride nanostructures using (N3)2Ga{(CH2)3NR2}, R = Me, Et, as a single molecule precursor: morphology control and materials characterization
Journal of materials chemistry, Vol.13(6), pp.1438-1446
01/01/2003
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