Photoluminescence of V-doped GaN thin films grown by MOVPE technique

Journal article

Peer reviewed

M Souissi, Z Chine, A Bchetnia, H Touati and B EL JANI

Microelectronics journal, Vol.37(1), pp.1-4

2006

Abstract

Applied sciences

Electronics

Exact sciences and technology

Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology)

Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices

1 Record Views

Title: Photoluminescence of V-doped GaN thin films grown by MOVPE technique
Creators - without role: M Souissi - Unité de Recherche sur les Hétéro-Epitaxies et Applications, Faculté des Sciences de Monastir 5000, Tunisie
Z Chine - Unité de Recherche sur les Hétéro-Epitaxies et Applications, Faculté des Sciences de Monastir 5000, Tunisie
A Bchetnia - Unité de Recherche sur les Hétéro-Epitaxies et Applications, Faculté des Sciences de Monastir 5000, Tunisie
H Touati - Unité de Recherche sur les Hétéro-Epitaxies et Applications, Faculté des Sciences de Monastir 5000, Tunisie
B EL JANI - Unité de Recherche sur les Hétéro-Epitaxies et Applications, Faculté des Sciences de Monastir 5000, Tunisie
Publication Details: Microelectronics journal, Vol.37(1), pp.1-4
Publisher: Elsevier Science
Identifiers: 9928587808331
Academic Unit: Qassim University
Language: English
Resource Type: Journal article